Samsung käivitab turu esimese 10 nm FinFET protsessoritehnoloogiat kasutava System-on-Chipi masstootmise

Tallinn, 17. oktoober 2023. – Samsung Electronics, ülemaailmne liider arenenud pooljuhttehnoloogia valdkonnas, teatas turu esimese 10 nm FinFET protsessoritehnoloogiat kasutava ühe kiibiga süsteem-kiibi System-on-Chip, SoC masstootmise alustamisest.

Maailma esimene 10 nm FinFET-lahendus tuleb turule 2023. aasta alguses

“

Turu esimene masstoodanguna toodetud 10 nm FinFET lahendus kinnitab meie juhtpositsiooni kõrgtehnoloogia arendamisel,” ütles Yong Shi-young, Samsung Electronics’i pooljuhtide tootmise juht Yong Shi-young. – Püüame jätkuvalt luua uuenduslikke, skaleeritavaid tehnoloogiaid ja pakkuda kasutajatele diferentseeritud terviklahendusi.”

.

Samsungi uuel 10 nm FinFET 10LPE protsessoril on täiustatud 3D-transistoristruktuur. Selle töötav tehnoloogia ja konstruktsioon on võrreldes eelmise 14 nm versiooniga täiustatud, mille tulemuseks on 30% suurem eripinna tõhusus, 40% suurem jõudlus ja 40% väiksem energiatarbimine. Uus lahendus kasutab uusimat tehnilist lahendust – kolmekordset struktureerimist -, et kõrvaldada skaleeritavuse piirangud. See pakub kahesuunalist marsruutimist, et toetada suuremat paindlikkust disainis ja marsruutimises kui eelmised mudelid.

Samsung avalikustas varem esimese põlvkonna 10 nm 10LPE protsessorilahendused. Teise põlvkonna 10LPP jõudlus on paranenud ja selle masstootmine peaks algama 2023. aasta teisel poolel.

Samsung kavatseb tihedas koostöös partneritega luua ka funktsionaalse pooljuhtide ökosüsteemi, mis ühendab võrdlusvoo, IP ja raamatukogu valideerimisvahendid. Arhitektuuri käivitamiseks on praegu saadaval tootmisprotsessi arenduskomplekt PDK ja IP arenduskomplekt.

10 nm SoC-süsteemi hakatakse kasutama digiseadmetes alates järgmise aasta algusest. Eeldatavasti muutub massitarbijale kättesaadavaks 2023. aasta jooksul.